複数のビーム放射構成素子を作製する方法およびビーム放射構成素子

专利摘要:
複数のビーム放射構成素子を作製する方法において、この方法は、以下のステップ、すなわち、Ａ） 複数の取付領域（２）を有する支持層（１）を準備するステップを有しており、ここで取付領域（２）は分離領域（３）によって互いに分離されており、上記の方法はさらにＢ） 上記の分離領域（３）に中間層（４）を載置するステップと、Ｃ） 上記の複数の取付領域（２）の各々に１つずつのビーム放射装置（５）を載置するステップと、Ｄ） ビーム放射装置（５）および分離領域（３）に結合性の注形層（６）を載置するステップと、Ｅ） 上記の支持層（１）の分離領域（３）において注形層（６）を切断しかつ中間層（４）を部分的に切断する第１分離ステップ（７）と、Ｆ） 中間層（４）を部分的に切断しかつ支持層（１）を切断する第２分離ステップ（８）とを有しており、ここで中間層（４）は、第１分離ステップ（７）および第２分離ステップ（８）によって完全に切断される。さらに本願発明ではビーム放射構成素子が提供される。
公开号:JP2011512683A
申请号:JP2010547042
申请日:2009-02-19
公开日:2011-04-21
发明作者:プロイス シュテファン；イェーガー ハーラルト
申请人:オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ；
IPC主号:H01L33-48

专利说明:

[0001] 本明細書は、ドイツ連邦共和国特許明細書第10 2008 010 510.4号および第10 2008 014 927.6号に優先権を主張するものであり、それらの開示内容は参照によって本明細書に含まれるものとする。]
[0002] ここで示されているのは、複数のビーム放射構成素子を作製する方法およびビーム放射構成素子である。]
[0003] 少なくとも１つの実施形態の課題は、複数のビーム放射構成素子を作製する方法を提供することである。さらに別の少なくとも１つの実施形態の課題は、ビーム放射構成素子を提供することである。]
[0004] これらの課題は、独立請求項に記載した方法およびビーム放射構成素子によって解決される。本発明の方法およびビーム放射構成素子の有利な実施形態および発展形態は、従属請求項に示されており、また以下の説明および図面から明らかになる。特許請求の範囲の内容は、参照によって本願明細書に明示的に含まれるものとする。]
[0005] 本発明の１実施形態による複数のビーム放射構成素子を作製する方法にはつぎのステップが含まれている。すなわち、
Ａ） 分離領域によって互いに分離されている複数の取付領域を有する支持層を準備するステップと、
Ｂ） 上記の分離領域に中間層を載置するステップと、
Ｃ） 上記の複数の取付領域の各々に１つずつのビーム放射装置を載置するステップと、
Ｄ）結合性（zusammenhaengend）の注形層を上記のビーム放射装置および分離領域に載置するステップと、
Ｅ） 上記の注形層を切断しまた支持層の分離領域において上記の中間層を部分的に切断する第１分離ステップと、
Ｆ） 上記の中間層を部分的に切断しまた支持層を切断する第２分離ステップとを有しており、上記の中間層は、第１分離ステップおよび第２分離ステップによって完全に切断される。]
[0006] ここでの記載また以下の記載において、第１層、第１領域または第１装置が、第２層、第２領域または第２装置「に」配置または載置されているとは、第１層、第１領域または第１装置が、第２層、第２領域または第２装置の上に、ないしは別の２つの層、領域または装置側に直に機械的および／または電気的に接触接続して配置または載置されていることを意味する。さらに別の層、領域および／または装置が、第１層、第１領域または第１装置と、第２層、第２領域または第２装置との間、ないしは別の２つの層、領域または装置との間に配置される間接的な接触接続を表すこともある。ここの記載および以下の記載において「分離する」、「切断する」または「分離」とは、結合が部分的に行われなくなる、層または領域の形状変化を意味している。分離する、切断する、分離では、形状変化のために層または領域の複数の部分が切り離される。上記の分離する、切断するまたは分離は、機械的に行うこともまた機械的にではなく行うことも可能であり、これらは、例えば切り分け、切削加工または切除によって行うことができ、また切り分け、切削加工または切除に適切な分離工具による層または領域の形状変化を意味することが可能である。]
[0007] ここで説明する方法の枠内で作製可能なビーム放射構成素子は、ビーム放射構成素子の公知の作製方法に比べて個々のビーム放射構成素子を互いに一層良好に分離することができる。ここでは２つのビーム放射構成素子間の分離領域において支持層に中間層を配置することにより、少なくとも２つのビーム放射構成素子の分離のし易さを質的に改善することができる。]
[0008] 各分離領域は、それらの間にある取付領域とは離れておよび／または隣接して配置される。ここでこれらの取付領域はそれぞれビーム放射構成素子のビーム放射装置を有する。ビーム放射装置に被着される注形層は、材料組成に起因して物理的な特性、例えば、硬さ、剛性、強度、延性、裂粘性（Risszaehigkeit）または密度が支持層とは異なっているため、少なくとも２つのビーム放射構成素子は、２つの分離ステップおよび異なる２つの分離ツールによって互いに分離しなければならない。]
[0009] 従来公知の方法では、注形層と支持層とが直接接合していることにより、例えばこれらの層の硬さが異なる際に、注形層を分離するのに適した分離ツールが、支持層に当接した際に損傷されて機能しなくなることがある。上記の分離ツールの機能損失は、２つのビーム放射構成素子間の分離領域において支持層と注形層との間に中間層を配置することによって回避することができ、ここでこの中間層は、支持層を分離するのに適した分離ツールによっても、また注形層を分離するのに適した分離ツールによっても共に切断することができ、したがってバッファ層または保護層として使用されるのである。]
[0010] １実施形態では上記の分離は、第１分離ステップおよび第２分離ステップにおいてそれぞれ１つの鋸によって行うことができる。このことは、ただ１つの分離ツールとしての１つの鋸で上記のステップＥ）およびＦ）を完全に行うことができることを意味し得る。]
[0011] さらに上記の鋸は、物理的に特性の異なる支持層、中間層および注形層を分離するために使用することできる切削分離ツールの例である。また機械的の分離ツールとして鋸を使用することにより、複数のビーム放射構成素子を大量生産においてコスト的に有利に作製することができる。]
[0012] さらに第１分離ステップによる上記の分離を第１鋸刃によって行うことができる。この第１分離ステップではステップＥ）にしたがって注形層を完全に分離するため、また支持層の分離領域において中間層を部分的に切断するため、注形層も中間層も共に切断することの可能な第１鋸刃を使用することができる。第１鋸刃は、注形層を切断するのに殊に適しており、ここでこの注形層は第１分離ステップ中に完全に切断される。]
[0013] 従来の方法では、第１分離ステップ中に注形層を１つの鋸刃で完全に切断することはできない。それは、支持層に鋸刃が当たって鋸刃が損傷することを阻止するためにこの注形層のわずかな部分を保護層として残しておく必要があるからである。しかしながらこの残った注形層のわずかな部分は、第２分離ステップには不利であることが判明した。それは、注形層の残滓が分離エッジに付着することがあり、ビーム放射構成素子を後で処理する際に剥がれることがあるからである。公知の作製方法ではこれによってビーム放射構成素子の汚れてしまい、付加的なクリーニングステップにおいてこのビーム放射構成素子を浄化しなければならないのである。]
[0014] 付加的には公知の方法では第２の鋸引きステップ中に上記の注形層の残滓が鋸刃にも付着することがあり、これによって鋸刃の刃先の鈍化が進行することによって鋸引き結果が劣化してしまうのである。鋸刃はダイヤモンド粉末を有することがあり、このダイヤモンド粉末は、プラスチックマトリクス、金属マトリクスに入れられるかまたは択一的にはセラミックマトリクスに入れられ、鋸引きのはじめにはまだ十分な鋭利さを有している。鋸引き中に鈍化したダイヤモンド粉末はプラスチックマトリクスから崩落して、新しい鋭利なダイヤモンド粉末が露出する。公知の作製方法では、上記の注形層の残滓がこの新しい鋭利なダイヤモンド粉末に付着することによって鋸刃の鈍化が進行し得るのである。]
[0015] 本発明のように注形層と支持層との間に中間層を配置することにより、注形層を完全に切り離することが可能となり、これによって注形層の残滓が第２鋸刃にほとんど戻ることがなくなり、改善された分離結果を得ることができるのである。]
[0016] 別の１実施形態によれば第２分離ステップは、第１鋸刃とは異なる第２鋸刃によって行うことができる。ここで第２鋸刃も同様に上記の中間層を部分的に切断しまた支持層を完全に切断する。このことが意味するのは、第１鋸刃も第２鋸刃も共に上記の中間層を切断することができ、その際に例えば第１鋸刃が支持層に当たることによって損傷されてしまうことがないことである。]
[0017] さらに上記の第１鋸刃および第２鋸刃は同じ厚さを有し得る。この際に第１鋸刃および第２鋸刃はそれぞれ５０μｍ〜３５０μｍの厚さを有し得る。第１鋸刃および第２鋸刃の厚さが均一であることにより、第１分離ステップまたは第２分離ステップ後の分離領域における起伏を少なくとも十分な程度に回避するかまたは完全に回避することも可能である。]
[0018] さらにステップＣ）の前に支持層の複数の取付領域にそれぞれ少なくとも１つの電気コンタクト層を被着することができる。ここでこの少なくとも１つの電気コンタクト層は、支持層側からのビーム放射装置の電気的なコンタクトに使用され、また例えば支持層の導体路として設計することができる。このためにビーム放射装置は、例えば支持層側を向いた１つずつの電極を有することが可能であり、ビーム放射装置はそれぞれこれらの電極と共に上記の取付領域において少なくとも１つの電気コンタクト層に被着することができる。対向したコンタクトを行うため、上記のビーム放射装置には、例えば支持層とは反対側に電極を設けることができ、これらの電極は、例えばボンディングワイヤを介して少なくとも１つの電気コンタクト層に電気的に接続することができる。これとは択一的に上記のビーム放射装置を、公知のいわゆるフリップチップ接合を用いて取付領域の少なくとも２つの電気的な導体路にそれぞれ電気的に接続することができる。]
[0019] さらに上記の少なくとも１つの電気コンタクト層は、上記の中間層と同じ材料を有するか、または同じ材料から構成することができる。上記の中間層が、少なくとも１つの電気コンタクト層と同じ材料、例えば銅、ニッケル、銀、タングステン、モリブデンまたは金またはこれらの金属のパーセントの割合を変更し得る混合物または合金または上記の材料による積層を含み得ることにより、上記の少なくとも１つの電気コンタクト層および中間層をステップＢ）において同時に被着することができる。]
[0020] さらに上記の支持層は第１の硬さを、中間層は第２の硬さを、または注形層は第３の硬さを有することができ、この際に第１の硬さは、第２の硬さよりも硬く、または第２の硬さは第３の硬さよりも硬くすることが可能である。したがって上記の注形層は中間層よりも軟らかく、また中間層そのものは支持層よりも軟らかくなり得るのである。]
[0021] 支持層に使用することができかつ例えばセラミック材料、さらに表面に酸化することも可能な金属または例えばケイ素などの半導体材料、またはプラスチック材料を含み得る材料は、極めて硬い点で優れている。ここで上記のセラミック材料は、例えば窒化アルミニウム（ＡｌＮ）および／または酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）を有するかまたはこのような化合物から構成することができる。]
[0022] 別の１実施形態では少なくとも１つのフォトレジスト、ソルダレジストまたは金属を上記の中間層に使用することができ、ここでこの金属は、銅、金、銀、タングステン、モリブデンおよびニッケルのうちの少なくとも１つから、ならびにこれらの合金および混合物および積層から選択することができる。このような金属は、支持層よりも硬さが小さく、支持層よりも軟らかくなり得る。さらにこのような材料によって同様に可能になるのは、上記の中間層が、層のうちで最も軟らかい注形層を切断するのに最適化されている第１鋸刃だけで切断できるのではなく、層のうちで最も硬い支持層を切断するのに適した第２鋸刃によっても切断できることである。]
[0023] 別の１実施形態では上記の注形層は、シリコーンを有することができ、このシリコーンは、例えばメチルベースのシリコーン、フェニルベースのシリコーンおよび／またはフッ化シリコーンから選択される。さらに例えばシリコーンおよびエポキシ樹脂などのパーセントの割合を変更可能なシリコーンを有する混合物も考えられる。択一的にはメチルベースのシリコーンまたはフェニルベースのシリコーンまたはフッ化シリコーンからなる混合物も使用可能である。ここでシリコーンは、特に空気および殊に酸素に対してならびに湿気に対して不透過であり、さらにＵＶ耐性である点が優れている。さらにシリコーンは、高温において、例えば１５０℃以上までの高温においてビーム放射構成素子の動作を可能にする点が優れている。さらにシリコーンによる注形により、上記の注形層から光学素子、例えばレンズを成形することができ、このレンズは、注形層の部分として有利にはビーム放射構成素子のビーム放射装置の上に直接配置することができる。]
[0024] 有利には上記の注形層においてショアＡ６０〜ショアＡ９０のショア硬さを有するメチルベースのシリコーンを使用し、殊に有利にはショアＡ７０〜ショアＡ８０のショア硬さを有するメチルベースのシリコーンを使用する。これらは高い安定性を有する。]
[0025] ここで説明した方法によって作製したビーム放射構成素子の技術的な分析によって判明したのは、シリコーンを含有する注形層のシリコーンは、中間層が金属を含む場合よりも、中間層が本発明のようにソルドレジストまたはフォトレジスタを有する場合の方が、中間層に格段に良好に接着することである。注形層が中間層により良好に接着することは、注形層の残滓による分離領域の鋸刃エッジの汚れを低減するのに役立つ。]
[0026] 別の１実施形態では少なくとも支持層の分離領域はうねりを有しており、このうねりはステップＢ）において中間層を載置することによって平坦化される。支持層のこのうねりは、例えば探触法（Tastverfahren）、背圧法（Staudruckverfahren）または光学式の方法によって求めることができる。上記の支持層のうねりは有利には支持層の５〜１０個の点において探触法によって求めることができる。]
[0027] ステップＢ）において支持層に中間層を載置する間、例えば液体とすることが可能な中間層の材料をまず上記のような起伏に入り込ませてうねりを処理することできる。殊に上記の中間層は有利には、支持層に生じ得る最大うねりよりも大きいか少なくとも同じ大きさの層厚で被着することができる。これによって支持層に生じ得る最大うねりである最大うねりピークに当接することによって発生する第１鋸刃の損傷を、保護またはバッファ層として被着される中間層によって十分に回避することができる。支持層に使用される材料に応じて５〜５０μｍのうねりが発生することがあるため、５〜５０μｍだけまた有利には５〜２０μｍだけ支持層のうねりの最大うねりピークを越えて突き出る層厚を有する中間層を被着する。ここでこの中間層の被着は光化学式に行うことができる。]
[0028] 上ですでに述べた方法によって支持層のうねりを求めるため、別の１実施形態によればステップＡにおいて支持層をシートに配置して準備する。このためにこのシートに支持層を接着することができ、この際に例えば積層することができる。このシートによって有利にも可能になるのは、支持層がほぼ完全に平坦になった面に載置され、またこれがポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン（ＰＥ）またはポリオレフィン（ＰＯ）などの材料を有することである。上記の中間層、複数のビーム放射装置および注形層は、引き続いて上記のステップＢ），Ｃ）およびＤ）において上記のシートとは反対側になる支持層の表面にて被着することができる。]
[0029] さらに上記のシートはステップＦ）の第２分離ステップにおいて少なくとも部分的に切断することができ、これにより、得られた面が後続の作製ステップにおいて残されたままになることである。]
[0030] １実施形態によるビーム放射構成素子には、殊に
−取付領域を有する支持層と、
− 上記の取付領域に配置されたビーム放射装置と、
− 上記のビーム放射装置に載置された注形層とを有しており、
ここでは上記の取付領域に隣接して支持層と注形層との間に中間層が配置されている。]
[0031] ここでの記載また以下の記載において上記の注形層がビーム放射装置「に」配置または被着されているとは、注形層が直に直接的な機械的コンタクトでビーム放射装置に配置されるかまたは被着されることを意味し得る。さらに注形層とビーム放射装置との間に別の層が配置されている間接的なコンタクトのことも示し得る。]
[0032] ここおよび以下の記載において、上記の支持層と注形層との間で取付領域に「隣接」して中間層を配置するとは、中間層を取付領域に直に接触させて配置することができ、これによって中間層と取付領域が互いに直に隣接することを意味し得る。さらに上記の取付領域と中間層との間に別の複数の層または領域が配置されている間接的なコンタクトも示し得る。]
[0033] 上記のようなビーム放射構成素子は、半導体構成素子、有利には発光ダイオードチップまたはレーザダイオードチップとして実施することが可能である。]
[0034] さらにこのようなビーム放射構成素子は、表面実装技術を用いてプリント基板などの表面に取り付けることができる。これによって極めて高密度の取り付け、殊にプリント基板の両面取り付けが可能である。]
[0035] さらにこのようなビーム放射構成素子は、JEDEC-1規格を満足することができる。このことが意味し得るのは、上記のようなビーム放射構成素子が、浸入する湿気または酸化による損傷に対する保護のためにいわゆる「ドライパック」に包装して保管する必要はなく、上記の作製方法の環境で保管できることである。これによってビーム放射構成素子に湿気が溜まることを大幅に回避することができるため、例えばプリント基板に配置されるビーム放射素子のリフロー法でのはんだ付けによってビーム放射構成素子にひびが生じることはなく、またビーム放射構成素子の層の薄膜剥離（いわゆるポップコーン現象）は生じることはないのである。]
[0036] 別の１実施形態によれば、上記の中間層によって取付領域を包囲することができる。このことが意味し得るのは、上記の取付領域が少なくとも２つの面において中間層によって区切られることである。さらに上記のことが意味し得るのは、上記の取付領域に配置されるビーム放射装置が少なくとも２つの面において中間層から包囲されることである。上記の中間層がビーム放射装置を包囲する領域は分離領域と称することも可能である。]
[0037] 別の１実施形態では、少なくとも１つの電気コンタクト層を支持層の少なくとも取付領域に被着することができる。ここでこの少なくとも１つの電気コンタクト層は、下側からのビーム放射装置の電気的な接触接続に使用され、また下側の電極として、例えば導体路として設計することができる。対向した接触接続を行うため、上記のビーム放射装置の上側に電極を設けることができ、これは例えばボンディングワイヤを含むことができる。]
[0038] さらに上記のビーム放射構成素子は、すでに上で説明した１つまたは複数の特徴を有することができ、これらの特徴は、例えば電気コンタクト層の材料、層の種々異なる硬さおよび／または各層を設計するために使用される材料などである。]
[0039] 複数のビーム放射構成素子を作製する方法およびビーム放射構成素子の別の利点、有利な実施形態および発展形態は、以下の実施例および図に関連して説明する実施例に記載されている。]
図面の簡単な説明

[0040] 第１実施例による方法のステップＡを示す概略断面図である。
第１実施例による方法のステップＢを示す概略断面図である。
第１実施例による方法のステップＣを示す概略断面図である。
第１実施例による方法のステップＤを示す概略断面図である。
第１実施例による方法のステップＥを示す概略断面図である。
第１実施例による方法のステップＦを示す概略断面図である。
第２実施例による方法の１ステップを示す概略断面図である。
図２Ａに示した方法の１ステップを示す概略断面図である。] 図２Ａ
[0041] これらの実施例および図において同一の構成要素または同じ機能を有する構成要素にはそれぞれ同じ参照符号が付されている。図示した構成要素ならびにこれらの構成要素相互の大きさの比率は縮尺通りとみなしてはならない。むしろ図面における幾つかの細部は、理解を容易にするため誇張して大きく示されている。]
[0042] 図１Ａ〜１Ｆには１実施例による方法のステップが記載されている。図１ＡにはステップＡ）の概略断面図が示されており、ここでは複数の取付領域２を有する支持層１が準備される。ここでは取付領域２は複数の分離領域３によって互いに分離されている。分離領域３および取付領域２は、例えば互いに分かれた行および列に配置することができる。有利には取付領域２と、その間に配置される分離領域３とはマトリックス状に行および列で支持層１に面状に配置される。支持層１に対する材料として有利にはセラミック材料、例えば表面に酸化することも可能な金属または例えばケイ素などの半導体材料ないしはプラスチック材料を使用する。それはこれらが硬くまた材料コストが少ない点で優れているからである。上記の支持層は、この支持層に対してどの材料を使用するのかに応じて５〜５０μｍのうねりを有する。] 図１Ａ 図１Ｂ 図１Ｃ 図１Ｄ 図１Ｅ 図１Ｆ
[0043] 図１Ｂには別のステップＢ）の概略断面図が示されており、ここでは支持層１の分離領域３に中間層４が被着される。有利にはこの中間層の材料としてフォトレジスト、ソルダレジストまたは例えばニッケル、銅、銀、タングステン、モリブデンまたは金などの金属またはこれらの金属のパーセントの割合の変更可能な合金または混合物または上記の材料による積層を使用する。上記の支持層の分離領域に中間層を被着することによって支持層のうねりが平坦化される。全部を合わせると、分離領域３における支持層１に発生し得る最大のうねりよりも少なくとも等しいか有利にはこれよりも大きい中間層４の層厚が有利である。このために前もって分離領域３における支持層１の表面の５〜１０個の点において、例えば探触法によって上記の発生し得る最大うねりを求める。] 図１Ｂ
[0044] 図１ＣにはステップＣ）の概略断面図が示されており、ここでは複数の取付領域２の各々にビーム放射装置５を１つずつ被着する。ここでは各ビーム放射装置５を、隣接する分離領域３に直に接して配置することができ、または図示したように隣接する分離領域３から離して支持層１の取付領域２に配置することもできる。ビーム放射装置５を電気接続するために可能であるのは、ステップＣ）の前に少なくとも、複数の取付領域２においてそれぞれ少なくとも１つの電気コンタクト層１０を図２Ａおよび２Ｂに示したように被着することである。この際に電気コンタクト層１０および中間層４の材料は同じ材料を有するか、または同じ材料から構成することが可能である。この場合、電気コンタクト層１０および中間層４を１ステップで構造化して取付領域２ないしは分離領域３に被着することが可能である。] 図１Ｃ 図２Ａ
[0045] 図１ＤにはステップＤ）の概略断面図が示されており、ここではビーム放射装置５および中間層４に結合性の注形層６が大きな面積で被着される。注形層６は、有利にはメチルベースまたはフェニルベースのシリコーンを含むことができ、このシリコーンからレンズを形成することができる。したがって有利には注形層６をビーム放射装置５に配置して、注形層６のレンズがビーム放射装置５の直に載置されるようにする。] 図１Ｄ
[0046] 図１ＥにはステップＥ）の概略断面図が示されており、ここでは第１分離ステップ７において注形層６が完全に切断され、また中間層４が部分的に切断されている。第１分離ステップ７の経過は、破線の矢印７によって示されている。この第１分離ステップ７において注形層６の完全な切断が行われることによって、注形層６の突出していない平らな鋸引きエッジを得ることができる。] 図１Ｅ
[0047] 図１ＦにはステップＦ）の概略断面図が示されており、ここでは第２分離ステップ８（破線の矢印）において中間層４が部分的に切断され、また支持層１が完全に切断される。中間層４は、図１Ｅ）に示した第１分離ステップ７により、また図１Ｆ）に示した第２分離ステップ８によって完全に切断される。これにより、続いてステップＦ）により、複数のビーム放射構成素子が得られ、その分離は、例えば１つの鋸によって行うことができる。ビーム放射構成素子を分離するため、異なる２つの鋸刃を使用することができ、第１分離ステップ７に使用される鋸刃は、注形層６を完全に切り離すのに最適であり、これに対して第２鋸刃は、支持層１を分離する第２分離ステップ８に適している。中間層４は有利には、例えばフォトレジスト、ソルダレジストまたは銅、ニッケル、銀、タングステン、モリブデンまたは金などの材料、またはこれらからなる混合物または合金または積層を有しているため、中間層４は、層のうちで最も軟らかい注形層６を切断するのに最適化された鋸刃によって切断できるだけでなく、層のうちで最も硬い支持層１を切断するのに適した鋸刃によって切断することもできる。] 図１Ｅ 図１Ｆ
[0048] これにより、図１Ｆに記載したステップＦ）の終わりには複数のビーム放射構成素子が得られる。] 図１Ｆ
[0049] 図２Ａおよび２Ｂには別の１実施例にしたがってビーム放射構成素子を作製する方法の個々のステップが示されている。] 図２Ａ
[0050] ここでは図１Ａ〜１Ｆに記載した方法の上記の実施例とは異なり、支持層１はシート９に配置されて準備される。これによって図１Ｅおよび１Ｆに示した分離ステップ７および８ができる限り平坦な面において行われる。ビーム放射構成素子の別の処理ステップに対して平坦な面を得るため、図２Ａにおいて概略断面図に示したようにシート９は、ステップＦ）による第２分離ステップ８中に部分的にしか切断されない。ビーム放射装置５は電気コンタクト層１０に配置されており、ここで電気コンタクト層１０は、上記のステップＣ）において取付領域２にビーム放射装置５を載置する前に支持層１に被着される。図示の実施例では、ビーム放射装置５は、フリップチップ実装を用いて被着される。] 図１Ａ 図１Ｂ 図１Ｃ 図１Ｄ 図１Ｅ 図１Ｆ 図２Ａ
[0051] 引き続き、別のステップにおいて、すでに互いに分離されたビーム放射構成素子が分離エッジにおいてシート９から完全に分離され、これによって図２Ｂに示したように複数のビーム放射構成素子が個別に切り離される。] 図２Ｂ
[0052] 本発明は実施例に基づく上記の説明によってこれらの実施例に限定されるものではない。むしろ本発明にはあらゆる新規の特徴ならびにそれらの特徴のあらゆる組み合わせが含まれており、これには殊に特許請求の範囲に記載した特徴のあらゆる組み合わせが含まれる。このことは上記の特徴またはこれらの特徴の組み合わせそのものが特許請求の範囲あるいは実施例に明示的には記載されていないとしてもあてはまるものである。]

权利要求:

請求項1
複数のビーム放射構成素子を作製する方法において、該方法は、Ａ）複数の取付領域（２）を有する支持層（１）を準備するステップを有しており、ここで当該の取付領域（２）は、分離領域（３）によって互いに分離されており、前記の方法はさらにＢ）前記の分離領域（３）に中間層（４）を載置するステップと、Ｃ）前記の複数の取付領域（２）の各々に１つずつのビーム放射装置（５）を載置するステップと、Ｄ）前記のビーム放射装置（５）および分離領域（３）に、結合性の注形層（６）を載置するステップと、Ｅ）前記の支持層（１）の分離領域（３）にて前記の注形層（６）を切断しかつ中間層（４）を部分的に切断する第１分離ステップ（７）と、Ｆ）前記の中間層（４）を部分的に切断しかつ支持層（１）を切断する第２分離ステップとを有しており、ここで前記の中間層（４）は第１分離ステップ（７）および第２分離ステップ（８）によって完全に切断されることを特徴とする、複数のビーム放射構成素子を作製する方法。
請求項2
−前記の第１分離ステップ（７）および第２分離ステップ（８）における分離をそれぞれ１つの鋸によって行い、前記の第１分離ステップ（７）における分離を殊に第１鋸刃によって行う、請求項１に記載の方法。
請求項3
−前記の第２分離ステップ（８）における分離を第２鋸刃によって行い、−当該の第２鋸刃は前記の第１鋸刃とは異なる、請求項２に記載の方法。
請求項4
−前記の第１鋸刃および第２鋸刃は同じ厚さを有する、請求項３に記載の方法。
請求項5
−前記のステップＣ）の前に少なくとも、支持層（１）の複数の取付領域（２）に少なくとも１つずつの電気コンタクト面（１０）を被着する、請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法。
請求項6
−前記の中間層（４）および少なくとも１つの電気コンタクト層（１０）は同じ材料を有する、請求項５に記載の方法。
請求項7
−前記の中間層（４）および電気コンタクト層（１０）を前記のステップＢ）にて同時に被着する、請求項６に記載の方法。
請求項8
−前記の支持層（１）は第１の硬さを、中間層（４）は第２の硬さを、また注形層（６）は第３の硬さを有しており、−前記の第１の硬さは、第２の硬さよりも硬く、−前記の第２の硬さは、第３の硬さよりも硬い、請求項１から７までのいずれか１項に記載の方法。
請求項9
−前記の支持層（１）にはセラミック材料が含まれる、請求項１から８までのいずれか１項に記載の方法。
請求項10
−前記の中間層（４）には少なくとも１つのフォトレジスト、ソルダレジストまたは金属が含まれており、−当該の金属は、銅、ニッケル、銀、タングステン、モリブデンおよび金のうちの少なくとも１つから、またはこれらの金属の合金から、またはこれらの金属の混合物から、またはこれらの金属の積層から選択される、請求項１から９までのいずれか１項に記載の方法。
請求項11
−前記の注形層（６）にはシリコーンが含まれており、−当該のシリコーンは、メチルベースのシリコーン、フェニルベースのシリコーン、フッ化シリコーンおよび／またはつぎから選択された混合物、すなわち、−シリコーンおよびエポキシ樹脂、または−メチルベースのシリコーン、フェニルベースのシリコーンおよび／またはフッ化シリコーンから選択された混合物からなる、請求項１から１０までのいずれか１項に記載の方法。
請求項12
−少なくとも前記の支持層（１）の分離領域（３）はうねりを有しており、−当該のうねりを前記のステップＢ）における中間層（４）を被着することによって平坦化し、−ここで中間層（４）は殊に前記の支持層（１）のうねりと同じ大きさまたはそれ以上の層厚を有する、請求項１から１１までのいずれか１項に記載の方法。
請求項13
−前記のステップＡ）にて支持層（１）をシート（９）に配置して準備し、−前記のステップＢ），Ｃ）およびＤ）における中間層（４）、複数のビーム放射装置（５）および注形層（６）の被着を、前記のシート（９）とは反対側になる支持層（１）の表面にて行う、請求項１から１２までのいずれか１項に記載の方法。
請求項14
ビーム放射構成素子において、該ビーム放射構成素子には、−取付領域（２）を有する支持層（１）と、−前記の取付領域（２）に配置されたビーム放射装置（５）と、−当該のビーム放射装置（５）に載置された注形層（６）とを有しており、−前記の取付領域（２）に隣接しかつ支持層（１）と注形層（６）との間に中間層（４）が配置されていることを特徴とする殊に請求項１から１３までのいずれか１項に記載の方法によって作製可能なビーム放射構成素子。
請求項15
−前記の中間層（４）により、取付領域（２）が包囲されている、請求項１４に記載のビーム放射構成素子。